-TI公布其制造并提供樣片的首款集成高壓GaN FET和驅動器解決方案可實現2倍的功率密度，同時將功率損耗減半
北京2016年5月5日電 /美通社/ -- 基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mU場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg3410-pr-cn
“通過3百萬小時以上的可靠測試，LMG3410使電源設計人員對GaN的無限潛能充滿信心，并且這也他們用之前認為根本不可行的方法重新思考電源架構和系統，”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses說，“隨著TI在生產制造能力和大量系統設計專業知識方面的聲譽不斷擴大，全新的功率級成為TI邁向GaN市場的重要一步。”
借助集成驅動器和零反向恢復電流等特性，LMG3410提供可靠的性能，特別是在硬開關應用中更是如此；在這些應用中，它能夠極大地降低開關損耗，最多能降低80%。與獨立GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)故障保護的內置智能化等功能。
經驗證的制造和封裝專業技術
LMG3410是第一款包含了由TI生產的GaN FET的半導體集成電路(IC)。基于在制造和工藝領域多年形成的專業技術，TI在其硅技術兼容的工廠內創造出了GaN器件，并且通過不斷的實踐，使這些器件的質量超過了電子元件工業聯合會(JEDEC)標準的要求，以確保GaN在嚴酷的使用環境下的可靠性和穩健耐用性。易于使用的封裝將有助于增加功率因數控制器(PFC) AC/DC轉換器、高壓DC總線轉換器和光伏(PV)逆變器等應用中GaN電源設計的部署和采用率。
LMG3410的主要特點和優勢
使功率密度加倍。與基于硅材料的先進升壓功率因數轉換器相比，600V功率級在圖騰柱PFC中的功率損耗還要低50%。減少的物料清單(BOM)數量和更高的效率最多可以將電源的尺寸減少50%。
減少封裝寄生電感。與分立式GaN解決方案相比，全新器件的8mmx8mm四方扁平無引線(QFN)封裝減少了功率損耗、組件電壓應力和電磁干擾(EMI)。
可實現全新拓撲。GaN的零反向恢復電荷有益于全新開關拓撲，其中包括圖騰柱PFC和LLC拓撲，以增加功率密度和效率。
拓展GaN生態系統
為了能夠讓設計人員在他們的電源設計中利用GaN技術所具有的優勢，TI還推出了全新的產品，以擴展其GaN生態系統。LMG5200POLEVM-10，一個48V至1V負載點(POL)評估模塊，將包括與80V LMG5200GaN FET功率級配對使用的全新TPS53632GGaN FET控制器。這個解決方案可以在工業、電信和數據通信應用中實現高達92%的效率。
供貨
TI將提供包含一個半橋子板和4個LMG3410 IC樣片的開發套件。第二個套件包含一個系統級評估母板。一起使用時，這兩個套件可實現直接工作臺測試和設計。現在，這兩個開發套件在TI商店有售。
其它資源：
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下載這些白皮書：
“用集成驅動器優化GaN性能。”
“基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC。”
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